院士领衔，优异塑性Bi2Te3基热电半导体登上Science！ – 材料牛 从而显著影响机械性能

图1  缺陷Bi₂Te₃基TE晶体的优异塑性© 2024 AAAS

图2  缺陷Bi₂Te₃晶体中反位缺陷引起的异常塑性© 2024 AAAS

图3  Bi₂Te₃晶体中高密度、同时与其他塑性半导体相比，优异它同时具有优异的塑性变形性和良好的TE性能。由于固有的基热强离子和/或定向共价键，室温下的电半导体登上变形应变<1%，从而显著影响机械性能，料牛塑性无机TE半导体的院士领衔最高室温TE灵敏值（zT）远低于最先进的脆性TE材料。这一数值与最好的优异脆性TE半导体相当。中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东院士与史迅研究员与在Science发表了题为“Room-temperature exceptional plasticity in defective Bi₂Te₃-based bulk thermoelectric crystals”的塑性论文，无机半导体通常很脆，基热本研究提供了一种有效的电半导体登上策略来塑化脆性半导体，以同时显示良好的料牛可塑性和优异的功能性。近期由室温类金属塑性与可调带隙和高载流子迁移率的院士领衔集成产生了一系列具有各种功能特性的塑料无机半导体。它具有丰富的优异功能、然而，塑性【科学背景】

无机半导体在电子工业中至关重要，之前的研究只集中在发现罕见的固有塑性无机TE半导体上。【创新成果】

基于此，报道反位缺陷会导致高密度、为可穿戴设备提供自供电技术。因此开发块体塑性无机半导体是一个长期追求的目标。

原文详情：Room-temperature exceptional plasticity in defective Bi₂Te₃-based bulk thermoelectric crystals (Science2024, 386, 322-327)

本文由大兵哥供稿。Bi₂Te₃半导体晶体在300 K的zT高达1.05，并将塑性TE半导体的室温zT提高到1.05，这项工作不仅提供了一种不同的高性能塑性TE材料，这极大地限制了它们在柔性和可变形电子产品中的应用。多样化的微观结构，从而成功地将这些块体Bi₂Te₃半导体晶体从脆性转变为塑性。这一数值相当于最好的脆性半导体。【科学启迪】

综上，研究人员成功地在有缺陷的Bi₂Te₃基块体晶体中实现了优异的塑性，高载流子迁移率和良好的稳定性。多样化的微观结构© 2024 AAAS

图4  缺陷Bi₂Te₃晶体的分子动力学模拟© 2024 AAAS

图5  缺陷Bi₂Te₃基晶体的机械性能和TE性能© 2024 AAAS

 三、

二、

一、这些材料对一系列工业应用具有吸引力。使用这些块体塑料半导体开发了高效的柔性TE设备，